수리논술, 이게 다다.

자연계열 1번

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문제

문제 1 (30점)

반도체 제작 과정은 한 점 P(0,0,1)\displaystyle \mathrm{P}(0,0,1)에서 실리콘 원자를 xy\displaystyle xy평면 위에 있는 충분히 넓은 기판 위에 뿌려주는 것으로 시작한다. xy\displaystyle xy평면 위의 점 Q\displaystyle \mathrm{Q}에 대하여 두 점 P\displaystyle \mathrm{P}와 Q\displaystyle \mathrm{Q} 사이의 거리를 d\displaystyle d라 하자. 증발 과정을 고려하지 않았을 때, 점 Q\displaystyle \mathrm{Q}에서 쌓이는 실리콘의 높이는 1d3\displaystyle \frac{1}{d^{3}}이다.실제로 쌓이는 실리콘의 높이는 증발 과정을 통하여 줄어드는데, 기판의 온도가 높으면 실리콘의 증발량이 증가하고, 온도가 낮으면 줄어든다. 기판의 온도가 균일하다고 가정하면, 쌓이는 실리콘의 높이는 양의 상수 C\displaystyle C만큼 줄어든다. 즉, 1d3≤C\displaystyle \frac{1}{d^{3}}\le C인 점에서는 실리콘이 모두 증발하여 쌓이지 않으며, 1d3>C\displaystyle \frac{1}{d^{3}}>C인 점에서 최종적으로 쌓인 실리콘은 1d3−C\displaystyle \frac{1}{d^{3}}-C의 높이를 갖는다. 점 P\displaystyle \mathrm{P}에서 뿌려지는 모든 실리콘 원자는 기판에 남아 있거나, 기판에서 증발하여 없어진다.

점 P(0,0,1)에서 xy평면의 기판으로 실리콘이 뿌려져 원점 둘레에 봉우리 모양으로 쌓인 모습과, 그 단면을 높이 t인 평면으로 자른 그림.
[그림 1]

(1-1) C=18\displaystyle C=\frac{1}{8}일 때, 실리콘이 가장 높이 쌓인 곳의 높이 tmax⁡\displaystyle t_{\max}를 구하고, 위에서 내려다 보았을 때 실리콘이 쌓인 부분의 반지름의 길이 R\displaystyle R을 구하시오.

(1-2) C=18\displaystyle C=\frac{1}{8}일 때, [그림 1]과 같이 실리콘이 쌓인 부분을 높이가 t\displaystyle t인 지점을 지나고 xy\displaystyle xy평면과 평행인 평면으로 자를 때 생기는 단면의 넓이를 S(t)\displaystyle S(t)라고 하자. S(t)\displaystyle S(t)를 t\displaystyle t에 대한 식으로 나타내시오.

(1-3) 문항(2)의 결과를 사용하여, C=18\displaystyle C=\frac{1}{8}일 때 실리콘이 쌓인 부분의 부피를 구하시오.

(1-4) C→0+\displaystyle C\to0+일 때, 실리콘이 쌓인 부분의 부피의 극한값을 구하고, C=18\displaystyle C=\frac{1}{8}일 때, 총 뿌려진 실리콘 중 증발하지 않고 기판에 남아있는 실리콘의 비율을 구하시오.

+3점 · 가장 높이 쌓인 곳의 높이를 정확히 구함.

(1) 1d3≥18\displaystyle \frac{1}{d^{3}}\ge\frac{1}{8} 일 때, 점 Q에서 실리콘이 쌓인 부분의 높이는 1d3−18\displaystyle \frac{1}{d^{3}}-\frac{1}{8}이므로 d\displaystyle d가 작을수록 높이가 높다. xy\displaystyle xy평면에서 점 P에 가장 가까운 점은 원점이며, 이때 d=1\displaystyle d=1이므로 가장 높이 쌓인 곳의 높이 tmax⁡\displaystyle t_{\max}는 1−18=78\displaystyle 1-\frac{1}{8}=\frac{7}{8}이다.

+4점 · 반지름의 길이를 정확히 구함.

또한, 점 Q에서 원점까지의 거리를 r\displaystyle r이라 할 때, d=1+r2\displaystyle d=\sqrt{1+r^{2}}이므로 실리콘이 쌓인 부분은1d3=1(1+r2)32>18\displaystyle \frac{1}{d^{3}}=\frac{1}{(1+r^{2})^{\frac{3}{2}}}>\frac{1}{8}을 만족한다. 즉, 0≤r<3\displaystyle 0\le r<\sqrt{3}이므로 실리콘이 쌓인 부분의 반지름의 길이는 R=3\displaystyle R=\sqrt{3}이다.

(다른 풀이) 점 Q에서 원점까지의 거리를 r\displaystyle r이라 하자. 1d3≥18\displaystyle \frac{1}{d^{3}}\ge\frac{1}{8}일 때, 점 Q에 쌓인 실리콘의 높이는 h(r)=1(1+r2)32−18\displaystyle h(r)=\frac{1}{(1+r^{2})^{\frac{3}{2}}}-\frac{1}{8}이다. 실리콘이 쌓인 부분은 h(r)>0\displaystyle h(r)>0 또는 0≤r<3\displaystyle 0\le r<\sqrt{3}을 만족하므로 해당 부분의 반지름의 길이는 R=3\displaystyle R=\sqrt{3}이다.또한 r>0\displaystyle r>0 일 때 h′(r)=−3r(1+r2)52<0\displaystyle h^{\prime}(r)=-\frac{3r}{(1+r^{2})^{\frac{5}{2}}}<0이므로, h(r)\displaystyle h(r)는 구간 0≤r<3\displaystyle 0\le r<\sqrt{3}에서 감소하여 높이의 최댓값은 h(0)=1−18=78\displaystyle h(0)=1-\frac{1}{8}=\frac{7}{8}이다.

+2점 · 단면의 모양을 정확히 서술함.

(2) 점 Q에서 원점까지의 거리를 r\displaystyle r이라 할 때, 실리콘이 쌓인 높이 h(r)\displaystyle h(r)은 r\displaystyle r에 대하여 감소하는 함수이므로, 높이가 h(r)=t\displaystyle h(r)=t인 평면으로 자른 단면은 반지름의 길이가 r\displaystyle r인 원 모양이며, 단면의 넓이는 πr2\displaystyle \pi r^{2}이다.

+5점 · 정확한 풀이 과정을 통해 S(t)\displaystyle S(t)를 구함.

h(r)=1(1+r2)32−18=t\displaystyle h(r)=\frac{1}{(1+r^{2})^{\frac{3}{2}}}-\frac{1}{8}=t로부터, r2=(18+t)−23−1\displaystyle r^{2}=\left(\frac{1}{8}+t\right)^{-\frac{2}{3}}-1이므로S(t)=πr2=π((18+t)−23−1)\displaystyle S(t)=\pi r^{2}=\pi\left(\left(\frac{1}{8}+t\right)^{-\frac{2}{3}}-1\right)이다. (단, 0≤t≤78\displaystyle 0\le t\le\frac{7}{8})

+2점 · 부피를 적분 식으로 표현함.

(3) 문항(2)의 결과를 사용하여 실리콘이 쌓인 부분의 부피를 구하면∫078S(t) dt=∫078π((18+t)−23−1)dt\displaystyle \int_{0}^{\frac{7}{8}}S(t)\,dt=\int_{0}^{\frac{7}{8}}\pi\left(\left(\frac{1}{8}+t\right)^{-\frac{2}{3}}-1\right)dt

+5점 · 적분을 정확히 계산하여 답을 구함.

=[π(3(18+t)13−t)]078=π((3−78)−3×(18)13)=5π8\displaystyle \begin{aligned} &=\Biggl[\pi\left(3\left(\frac{1}{8}+t\right)^{\frac{1}{3}}-t\right)\Biggr]_{0}^{\frac{7}{8}} \\ &=\pi\left(\left(3-\frac{7}{8}\right)-3\times\left(\frac{1}{8}\right)^{\frac{1}{3}}\right) \\ &=\frac{5\pi}{8} \end{aligned}

+3점 · 임의의 상수 C\displaystyle C에 대해서 실리콘이 쌓인 부분의 부피를 구함.

(4) 앞의 문항과 동일한 방법으로 상수 0<C<1\displaystyle 0<C<1에 대하여 실리콘이 쌓인 부분의 부피를 구하면∫01−CS(t) dt=∫01−Cπ((C+t)−23−1)dt=π[3(C+t)13−t]01−C=π[{3−(1−C)}−3C13]=π(2+C−3C13)\displaystyle \begin{aligned} \int_{0}^{1-C}S(t)\,dt &=\int_{0}^{1-C}\pi\left((C+t)^{-\frac{2}{3}}-1\right)dt \\ &=\pi\Biggl[3(C+t)^{\frac{1}{3}}-t\Biggr]_{0}^{1-C} \\ &=\pi\left[\{3-(1-C)\}-3C^{\frac{1}{3}}\right] \\ &=\pi\left(2+C-3C^{\frac{1}{3}}\right) \end{aligned}

+2점 · C→0+\displaystyle C\to0+일 때의 극한값을 정확히 구함.

이므로, C→0+\displaystyle C\to0+일 때의 극한값은 2π\displaystyle 2\pi이다.

+4점 · 기판에 남아있는 실리콘의 비율을 정확히 구함.

이는 실리콘의 증발량이 0\displaystyle 0으로 수렴할 때 기판에 쌓이는 실리콘의 부피의 극한값이므로, 뿌려진 실리콘의 총 부피를 나타낸다. 따라서, C=18\displaystyle C=\frac{1}{8}일 때 기판에 남아 있는 실리콘의 부피의 비율은 5π82π=516\displaystyle \frac{\frac{5\pi}{8}}{2\pi}=\frac{5}{16}이다.

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